• با افزایش میدان مغناطیسی قله­ها به سمت انرژی­های بیشتر سوق کرده و اندازه آن­ها تغییر می­ کند. میدان مغناطیسی محدودیت کوانتمی وارد به حامل­ها را افزایش داده و در نتیجه قله­ها را به­سمت انرژی­های بیشتر منتقل می­ کند، علاوه بر این میدان مغناطیسی احتمال گذار بین حالت­های مختلف را تغییر داده و در نتیجه اندازه قله­ها نیز تغییر می­ کند.

 

    • تاثیر شعاع نقطه بر سطح مقطع پراکندگی رامان بررسی نموده و دریافتیم که با افزایش شعاع نقطه، اندازه قله‌ها تغییر کرده و مکان آنها به سمت انرژی‌های کمتر انتقال می‌یابد. افزایش شعاع، محدودیت کوانتمی را کاهش داده و گسترش تابع موج در فضا را افزایش می‌دهد بنابراین، اندازه قله­ها و مکان آنها تغییر می­ کند.

دانلود پایان نامه

 

  • علاوه براین، با افزایش شعاع تعداد حالت‌های مقید افزایش یافته و در نتیجه تعداد قله‌ها افزایش می‌یابد.

 

۴-۲ پیشنهادات

 

  • بررسی تاثیر میدان الکتریکی خارجی بر ترازهای انرژی و سطح مقطع دیفرانسیلی نقطه کوانتمی مورد نظر.

 

  • بررسی تاثیر ناخالصی هیدروژنی بر ترازهای انرژی و سطح مقطع دیفرانسیلی نقطه کوانتمی مورد نظر.

 

  • مطالعه تاثیر میدان لیزری قوی بر ترازهای انرژی و پراکندگی رامان در نقطه کوانتمی مورد نظر.

 

منابع:
C. V. Raman, K. S. Krishnan, Nature 122, 387, 1928.
C. V. Raman, K. S. Krishnan, Nature 121, 501-502, 1928.
. .  C. V. Raman, A new radiation, Indian. J. Phys.2, 399-419, 1928
K. Kohlrausch, Physics- Uspekhi, 1105-1112, 2003.
E. Sadeghi, Low-dimensional Systems and Nanostructures, 10-16, 2006.

 

  •  http://www.sciencedirect.com

 

Y.B. Yu, S.N. Zhu, K.X. Guo, Solid State Commun, 139, 2006.
H. Hallen, E.J. Ayars, C. Jahncke, “The effects of probe boundary conditions and propagation on nano-Raman spectroscopy", Journal of Microscopy, vol. 210, no. 3, pp. 252-254, 2003.
Y. Inouye, N. Hayazawa, K. Hayashi, Z. Sekkat and S. Kawata, Proc. SPIE, 40, 1999.
N. Hayazawa, T. Yano, H. Watanabe, Y. Inouye, S. Kawata, Chem. Phys Lett.,376, 174,2003.
D. Roy, C. Manish, H. Wang, N. Sano, I. Alexandra Characterisation of carbon nano-onions using Raman spectroscopy, 52–۵۶, ۲۰۰۳
O. Tomoya, S. Daisuke, S. Hisao, Size Effect for Barium Titanate Nano-particles, 22, 2004
G. B. Sergeev, Nanochemistry, ELSEVIER, Chapter1, 2006.
K. F. Brennan, A. S. Brown, Theory of Modern Electronic Semiconductor Devices, New York: John Wiley & Sons, 471-478, 2002.
B. R. Nag, “Physics of Quantum well devices", New York, Kluwer Academic Publishers, 792, 2002.
P. Harrison “Quantum Wells, Wires and Dots", Southern Gate: John Wiley & Sons, 470-477, 2005.
E. Borovitskaya, M .S. Shur, “Quantum dots", New Jersey: World Scientific Publishing, 222, 2003.
S. Tarucha et al., “Effects of Coulombs interactions on spin states in vertical semiconductor quantum dots", Applied Physics A Materials, Science& Processing, 367-378, 2000.
C. Kammer et al., “Mid-infrared intersublevel absorption of vertically electronically InAs quantum dots", Appl. Phys. 173113-1-17313-3, 2005.
F. Schrey Et al., “Optically induced interband electron transfer in self-assembled InAs quantum dots” physica status solidi , 434- 437, 2004.
L. Esaki, R. Tsu, “Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors” IBM Journal of Research and Development V, 61-65, 1970.
T. Chakraborty, Quantum Dots, Dresden: Elsevier Science, 253-258, 1999.
W. Xie, Condensed Matter, physica B, Science Direct, 403, 2008.
W. Hohn, Raman Scattering Theory, University of Florida, Syracuse, 2-9, 2007.
R. Riera, F. Comas, C. Trallero-Giner, S.T. Pavlov, Phys. Status Solidi B 148, 533.1988.
R. Betancourt-Riera, R. Riera, Electron Raman Scattering in Nanostructures, Universidad de Sonora, Diciembre, 117-119, 2007.
R. Kudrawiec, G. Sek, K. Ryczk, Superlattices Microstruct., 32, 2002.
D. Schrnerek, W. Hansen, PhysicaE6, 547, 2000.
L. Zhang, J. Shi, Solid State Commun, 138, 2006.
Y. Zhang, G. Rui, J. Appl. Phys 110, 104-109, 2011.
S. Takeyoshi, Et al., Appl. Phys 97, 507-512, 2005.
M. Motyka, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, appl.Phys103, 504-508, 2008.

X. Zhao, C. Liu, Physica B11, 329, 2007.
F.M. Hashemizade, T. Ismailov, B. Mehdiyev, S. Pavlov, Phys71. Rev, 2005.
W. Xie, Chem. Phys22, 405, 2012.
Q. Zang, Y.T. Sun, Thin Solid Films 519, 8178, 2011.
Z. Xiao, J. Zhu, F. He,Phys, Status Solidib b 191, 401, 1995.
H. D. Kariki, S. Elagoz, H. Kaya, J. Chin, Phys 42, 200, 2004.
M. Masale, Physica E 5, 98, 1999.
S. T. Perez, G. Marques, Solid Starte Commun, 1999.
E. Niculescu, A. Gearba, G. Cone, C. Negutu, Superlattices Microstruct, 319, 2001.
A. Manaselyan, M. Aghasyan, A. Kirakosyan, Physica E 14, 314, 2002.
S. Aktos, K. B. Figen. Physica E 28, Spring Link, 96, 2005.

موضوعات: بدون موضوع  لینک ثابت


فرم در حال بارگذاری ...